Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > R6021222PSYA
RFQs/Orden (0)
español
español
6024504

R6021222PSYA

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
30+
$92.703
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    R6021222PSYA
  • Fabricante / Marca
    Powerex, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    R6021222PSYA.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.75V @ 800A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    DO-205AB, DO-9
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    500ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -45°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1200V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    50mA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    220A
  • Capacitancia Vr, F
    -

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "R6021222PSYA".
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Descripción: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Descripción: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Descripción: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.