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R6030635ESYA

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Especificaciones
  • Número de pieza
    R6030635ESYA
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5V @ 800A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-205AB, DO-9
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2µs
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -45°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    50mA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    350A
  • Capacitancia Vr, F
    -
R6030KNX

R6030KNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Descripción: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6030ENX

R6030ENX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles

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