Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > R6030835ESYA

RFQs/Orden (0)

español

español

4719483

R6030835ESYA

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

30+

$62.238

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

R6030835ESYA
Fabricante / Marca

Powerex, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R6030835ESYA.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.5V @ 800A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

800V
Paquete del dispositivo

DO-205AB, DO-9
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

2µs
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

DO-205AB, DO-9, Stud
Temperatura de funcionamiento - Junction

-45°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis, Stud Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 800V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Corriente - Fuga inversa a Vr

50mA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io)

350A
Capacitancia Vr, F

-

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "R6030835ESYA".

R6030435ESYA

R6030435ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030ENX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6030KNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6030425HSYA

R6030425HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030235ESYA

R6030235ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030625HSYA

R6030625HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030MNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6030422PSYA

R6030422PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030622PSYA

R6030622PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030635ESYA

R6030635ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030ENZ1C9

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6030KNZC8

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6030ENZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6030KNZ1C9

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6031025HSYA

R6031025HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6031022PSYA

R6031022PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030KNXC7

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6030225HSYA

R6030225HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030825HSYA

R6030825HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030822PSYA

R6030822PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.