GKI10526

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Especificaciones

Número de pieza

GKI10526
Fabricante / Marca

Sanken Electric Co., Ltd.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GKI10526.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 350µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

47.7 mOhm @ 9.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 46W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

GKI10526DKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1530pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 4A (Ta) 3.1W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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FQD8P10TM_SB82052

Descripción: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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