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2231904Imagen SICRF10650CTSensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

SICRF10650CT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SICRF10650CT
  • Fabricante / Marca
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SICRF10650CT.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.7V @ 5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    ITO-220AB
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Otros nombres
    1655-1952
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A Through Hole ITO-220AB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    60µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    5A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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