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1336996Imagen BAV19W-G RHGTSC (Taiwan Semiconductor)

BAV19W-G RHG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BAV19W-G RHG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BAV19W-G RHG.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.25V @ 200mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    SOD-123
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    50ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOD-123
  • Otros nombres
    BAV19W-G RHG-ND
    BAV19W-GRHG
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    30 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 200mA Surface Mount SOD-123
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100nA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    200mA
  • Capacitancia Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123

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