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6071263Imagen ES3JBHR5GTSC (Taiwan Semiconductor)

ES3JBHR5G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ES3JBHR5G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ES3JBHR5G.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.45V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AA (SMB)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    35ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AA, SMB
  • Otros nombres
    ES3JBHR5G-ND
    ES3JBHR5GTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    34pF @ 4V, 1MHz

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