GBPC5010M T0G

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Especificaciones

Número de pieza

GBPC5010M T0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

BRIDGE RECT 1P 1KV 50A GBPC40-M
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GBPC5010M T0G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

1kV
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 25A
Tecnología

Standard
Paquete del dispositivo

GBPC40-M
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

4-Square, GBPC40-M
Otros nombres

GBPC5010M T0G-ND
GBPC5010MT0G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

QC Terminal
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Single Phase
Descripción detallada

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV QC Terminal GBPC40-M
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io)

50A

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GBPC5010W

Descripción: DIODE BRIDGE 1000V 50A GBPC-W

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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