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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > GPA801 C0G
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2849012Imagen GPA801 C0GTSC (Taiwan Semiconductor)

GPA801 C0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GPA801 C0G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    50V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AC
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Otros nombres
    GPA801 C0G-ND
    GPA801C0G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 50V 8A Through Hole TO-220AC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 50V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    8A
  • Capacitancia Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

Descripción: DIODE GPP 8A D2PAK

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
GPA803 C0G

GPA803 C0G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Descripción: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Descripción: DIODE GPP 8A D2PAK

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
GPA802-BP

GPA802-BP

Descripción: DIODE GPP 8A TO220AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Descripción: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Descripción: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Fabricantes: Bergquist
Existencias disponibles
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Descripción: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Descripción: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Descripción: DIODE GPP 8A D2PAK

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GPA803-BP

GPA803-BP

Descripción: DIODE GPP 8A TO220AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
GPA801-BP

GPA801-BP

Descripción: DIODE GPP 8A TO220AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Descripción: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Descripción: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Descripción: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Descripción: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Descripción: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles

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