KBP153G C2G

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Especificaciones

Número de pieza

KBP153G C2G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

BRIDGE DIODE 1.5A 200V GPP KBP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

KBP153G C2G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

200V
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 1.5A
Tecnología

Standard
Paquete del dispositivo

KBP
Serie

-
Paquete / Cubierta

4-SIP, KBP
Otros nombres

KBP153G C2G-ND
KBP153GC2G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Single Phase
Descripción detallada

Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole KBP
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

1.5A

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KBP151G C2G

Descripción: BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

KBP153G C2G

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