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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RS1DL RVG

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Imagen RS1DL RVG

TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DL RVG

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Especificaciones

Número de pieza

RS1DL RVG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RS1DL RVG.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 800mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

Sub SMA
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

150ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

DO-219AB
Otros nombres

RS1DL RVGCT
RS1DL RVGCT-ND
RS1DLRVGCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

25 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

800mA
Capacitancia Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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