SF62G B0G

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Especificaciones

Número de pieza

SF62G B0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 6A DO201AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SF62G B0G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

975mV @ 6A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

DO-201AD
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

DO-201AD, Axial
Otros nombres

SF62G B0G-ND
SF62GB0G
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 100V 6A Through Hole DO-201AD
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io)

6A
Capacitancia Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

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SF62GHB0G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 6A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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