SFAS804G MNG

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Especificaciones

Número de pieza

SFAS804G MNG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SFAS804G MNG.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

950mV @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

TO-263AB (D²PAK)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SFAS804G MNG-ND
SFAS804GMNG
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 8A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

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SFAS804GHMNG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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