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Imagen TSM1N80CW RPG

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM1N80CW RPG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM1N80CW RPG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM1N80CW RPG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

21.6 Ohm @ 150mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

TSM1N80CW RPGTR
TSM1N80CW RPGTR-ND
TSM1N80CWRPGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 300mA (Ta) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

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