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Imagen TSM1NB60SCT B0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM1NB60SCT B0G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM1NB60SCT B0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM1NB60SCT B0G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 Ohm @ 250mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Otros nombres

TSM1NB60SCT B0G-ND
TSM1NB60SCT B0GTR
TSM1NB60SCT B0GTR-ND
TSM1NB60SCTB0G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.1nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Tc)

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