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1828425Imagen TSM200N03DPQ33 RGGTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM200N03DPQ33 RGG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSM200N03DPQ33 RGG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TSM200N03DPQ33 RGG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-PDFN (3x3)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    20 mOhm @ 10A, 10V
  • Potencia - Max
    20W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerWDFN
  • Otros nombres
    TSM200N03DPQ33 RGGTR
    TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND
    TSM200N03DPQ33RGGTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    345pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

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