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Imagen TSM2306CX RFG

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM2306CX RFG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM2306CX RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM2306CX RFG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

57 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

TSM2306CX RFGDKR
TSM2306CX RFGDKR-ND
TSM2306CXRFGDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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