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Imagen TSM2302CX RFG

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM2302CX RFG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM2302CX RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM2302CX RFG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 3.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.5W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

TSM2302CX RFGCT
TSM2302CX RFGCT-ND
TSM2302CXRFGCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

587pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 3.9A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Tc)

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