TSM2308CX RFG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM2308CX RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM2308CX RFG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

156 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

TSM2308CX RFGCT
TSM2308CX RFGCT-ND
TSM2308CXRFGCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

511pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.3nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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TSM2302CX RFG

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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