TSM2537CQ RFG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM2537CQ RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM2537CQ RFG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-TDFN (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max

6.25W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-VDFN Exposed Pad
Otros nombres

TSM2537CQ RFGTR
TSM2537CQ RFGTR-ND
TSM2537CQRFGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

677pF @ 10V, 744pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A (Tc), 9A (Tc)

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TSM280NB06LCR RLG

Descripción: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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