TSM4N70CI C0G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM4N70CI C0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM4N70CI C0G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ITO-220
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.3 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

56W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres

TSM4N70CI C0G-ND
TSM4N70CIC0G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

595pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

700V
Descripción detallada

N-Channel 700V 3.5A (Tc) 56W (Tc) Through Hole ITO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251

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