TSM4NB60CP ROG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM4NB60CP ROG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM4NB60CP ROG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

TSM4NB60CP ROGCT
TSM4NB60CP ROGCT-ND
TSM4NB60CPROGCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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