TSM500N03CP ROG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM500N03CP ROG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 12.5A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM500N03CP ROG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

12.5W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

TSM500N03CP ROGCT
TSM500N03CP ROGCT-ND
TSM500N03CPROGCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 12.5A (Tc) 12.5W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12.5A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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