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25843Imagen TSM6502CR RLGTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM6502CR RLG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSM6502CR RLG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TSM6502CR RLG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-PDFN (5x6)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
  • Potencia - Max
    40W
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    TSM6502CR RLGDKR
    TSM6502CR RLGDKR-ND
    TSM6502CRRLGDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    30 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel 60V 24A (Tc), 18A (Tc) 40W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc), 18A (Tc)

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