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4334537Imagen TSM650P02CX RFGTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM650P02CX RFG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSM650P02CX RFG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TSM650P02CX RFG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    65 mOhm @ 3A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.56W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    TSM650P02CX RFGTR
    TSM650P02CX RFGTR-ND
    TSM650P02CXRFGTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    40 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    515pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    5.1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4.1A (Tc)

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