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2SA1013-O,T6MIBF(J

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Especificaciones

Número de pieza

2SA1013-O,T6MIBF(J
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 1A 160V TO226-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SA1013-O,T6MIBF(J.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

160V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-92L
Serie

-
Potencia - Max

900mW
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Otros nombres

2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

50MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 1A 50MHz 900mW Through Hole TO-92L
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 200mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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2SA1020-Y(6MBH1,AF

Descripción: TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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