2SA1020-Y(T6FJT,AF

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Especificaciones

Número de pieza

2SA1020-Y(T6FJT,AF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SA1020-Y(T6FJT,AF.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-92MOD
Serie

-
Potencia - Max

900mW
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Otros nombres

2SA1020-Y(T6FJTAF
2SA1020YT6FJTAF
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A

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2SA1020-Y(T6CANOFM

Descripción: TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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