2SA1930,LBS2DIAQ(J

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Especificaciones

Número de pieza

2SA1930,LBS2DIAQ(J
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SA1930,LBS2DIAQ(J.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

180V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-220NIS
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

2SA1930LBS2DIAQ(J
2SA1930LBS2DIAQJ
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

5µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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