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Imagen CBS10S40,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

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Especificaciones

Número de pieza

CBS10S40,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CBS10S40,L3F.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

550mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

40V
Paquete del dispositivo

CST2B
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

2-SMD, No Lead
Otros nombres

CBS10S40L3F(ACT
CBS10S40L3F(ACT-ND
CBS10S40L3FCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

125°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 40V 1A Surface Mount CST2B
Corriente - Fuga inversa a Vr

150µA @ 40V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

120pF @ 0V, 1MHz

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