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4801920Imagen HN3C51F-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    HN3C51F-BL(TE85L,F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HN3C51F-BL(TE85L,F.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    120V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo de transistor
    2 NPN (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    SM6
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    300mW
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    SC-74, SOT-457
  • Otros nombres
    HN3C51F-BL(TE85LF)DKR
    HN3C51F-BL(TE85LF)DKR-ND
    HN3C51F-BL(TE85LFDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    100MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    350 @ 2mA, 6V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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