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Imagen JDH2S02FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02FSTPL3

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Especificaciones

Número de pieza

JDH2S02FSTPL3
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 10V 10MA FSC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

JDH2S02FSTPL3.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

10V
Paquete del dispositivo

fSC
Serie

-
Resistencia @ Si, F

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

2-SMD, Flat Lead
Otros nombres

JDH2S02FSTPL3CT
Temperatura de funcionamiento

125°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky - Single
Descripción detallada

RF Diode Schottky - Single 10V 10mA fSC
Corriente - Max

10mA
Capacitancia Vr, F

0.3pF @ 0.2V, 1MHz

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