Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > RN1421TE85LF
RFQs/Orden (0)
español
español
1466370

RN1421TE85LF

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
3000+
$0.095
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    RN1421TE85LF
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 2mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    S-Mini
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    1 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    RN1421(TE85L,F)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    11 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    300MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    60 @ 100mA, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    800mA
  • Número de pieza base
    RN142*
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

Descripción: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142-1.4-02

RN142-1.4-02

Descripción: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

Descripción: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142-6-02

RN142-6-02

Descripción: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142-2-02

RN142-2-02

Descripción: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142-4-02

RN142-4-02

Descripción: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

Descripción: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RN142STE61

RN142STE61

Descripción: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142-1-02

RN142-1-02

Descripción: COMMON MODE CHOKE 33MH 1A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Descripción: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142-1-02-33M

RN142-1-02-33M

Descripción: CMC 33MH 1A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Descripción: DIODE PIN 60V UMD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

Descripción: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142GT2R

RN142GT2R

Descripción: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir