Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > RN1425TE85LF
RFQs/Orden (0)
español
español
1322167

RN1425TE85LF

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
3000+
$0.095
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    RN1425TE85LF
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    S-Mini
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    470 Ohms
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    RN1425(TE85L,F)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    11 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    300MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    90 @ 100mA, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    800mA
  • Número de pieza base
    RN142*
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

Descripción: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142-2-02

RN142-2-02

Descripción: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142-6-02

RN142-6-02

Descripción: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

Descripción: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

Descripción: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Descripción: DIODE PIN 60V UMD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

Descripción: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142-4-02

RN142-4-02

Descripción: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142STE61

RN142STE61

Descripción: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

Descripción: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

Descripción: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN143-0.5-02

RN143-0.5-02

Descripción: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN142GT2R

RN142GT2R

Descripción: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN142ZST2R

RN142ZST2R

Descripción: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir