RN1426TE85LF

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Especificaciones

Número de pieza

RN1426TE85LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN1426TE85LF.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

S-Mini
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

RN1426(TE85L,F)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

300MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

800mA
Número de pieza base

RN142*

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RN1421TE85LF

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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