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1281160Imagen RN2101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN2101CT(TPL3)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RN2101CT(TPL3).pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    20V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    CST3
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potencia - Max
    50mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-101, SOT-883
  • Otros nombres
    RN2101CT(TPL3)TR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    50mA

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