RN2102,LF(CT

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Especificaciones

Número de pieza

RN2102,LF(CT
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN2102,LF(CT.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SSM
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

100mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-75, SOT-416
Otros nombres

RN2102(T5L,F,T)
RN2102(T5LFT)TR
RN2102(T5LFT)TR-ND
RN2102,LF(CB
RN2102LF(CTTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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RN2101ACT(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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