RN2109ACT(TPL3)

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Especificaciones

Número de pieza

RN2109ACT(TPL3)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN2109ACT(TPL3).pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

CST3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Potencia - Max

100mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

RN2109ACT(TPL3)TR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

80mA

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RN2110,LF(CB

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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