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Imagen RN2112,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

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Especificaciones

Número de pieza

RN2112,LF(CT
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN2112,LF(CT.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SSM
Serie

-
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potencia - Max

100mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-75, SOT-416
Otros nombres

RN2112(T5LFT)CT
RN2112(T5LFT)CT-ND
RN2112,LF(CTCT
RN2112,LF(CTCT-ND
RN2112LF(CBCT
RN2112LF(CBCT-ND
RN2112LF(CTCT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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