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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > RN2115MFV,L3F
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RN2115MFV,L3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN2115MFV,L3F
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    VESM
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potencia - Max
    150mW
  • Paquete / Cubierta
    SOT-723
  • Otros nombres
    RN2115MFVL3F
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
RN2117MFV,L3F

RN2117MFV,L3F

Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2119MFV(TPL3)

RN2119MFV(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2118MFV(TPL3)

RN2118MFV(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2117(T5L,F,T)

RN2117(T5L,F,T)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN212-0.4-02-27M

RN212-0.4-02-27M

Descripción: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN212-0.4-02

RN212-0.4-02

Descripción: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN2115,LF(CB

RN2115,LF(CB

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2113CT(TPL3)

RN2113CT(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2116,LF(CT

RN2116,LF(CT

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN212-0.4-02-39M

RN212-0.4-02-39M

Descripción: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RN2118(T5L,F,T)

RN2118(T5L,F,T)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN212-0.5-02

RN212-0.5-02

Descripción: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles

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