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Imagen RN2112ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

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Especificaciones

Número de pieza

RN2112ACT(TPL3)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN2112ACT(TPL3).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

CST3
Serie

-
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potencia - Max

100mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

RN2112ACT(TPL3)DKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

80mA

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