RN2610(TE85L,F)

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Especificaciones

Número de pieza

RN2610(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN2610(TE85L,F).pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

SM6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-74, SOT-457
Otros nombres

RN2610(TE85LF)TR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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