RN2711JE(TE85L,F)

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Especificaciones

Número de pieza

RN2711JE(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN2711JE(TE85L,F).pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Paquete del dispositivo

ESV
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

100mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-553
Otros nombres

RN2711JE(TE85LF)CT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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RN2712JE(TE85L,F)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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