SSM3K37MFV,L3F

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K37MFV,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SSM3K37MFV,L3F.pdf
2.SSM3K37MFV,L3F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

VESM
Serie

U-MOSIII
RDS (Max) @Id, Vgs

2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

150mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-723
Otros nombres

SSM3K37MFVL3F(TCT
SSM3K37MFVL3F(TCT-ND
SSM3K37MFVL3FCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

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SSM3K59CTB,L3F

Descripción: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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