SSM3K7002BSU,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K7002BSU,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V .2A USM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SSM3K7002BSU,LF.pdf
2.SSM3K7002BSU,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

USM
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.1 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

150mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

SSM3K7002BFU(T5LFTR
SSM3K7002BFU(T5LFTR-ND
SSM3K7002BSU,LF(D
SSM3K7002BSULF
SSM3K7002BSULFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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SSM3K62TU,LF

Descripción: X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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