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7032476Imagen SSM6J512NU,LFToshiba Semiconductor and Storage

SSM6J512NU,LF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM6J512NU,LF
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SSM6J512NU,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    6-UDFNB (2x2)
  • Serie
    U-MOSVII
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    16.2 mOhm @ 4A, 8V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.25W (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    6-WDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    SSM6J512NULFCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 6V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    19.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 8V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    12V
  • Descripción detallada
    P-Channel 12V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

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