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SSM6J771G,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6J771G,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6J771G,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 1mA, 3V
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

31 mOhm @ 3A, 8.5V
La disipación de energía (máximo)

1.2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UFBGA, WLCSP
Otros nombres

SSM6J771G,LF(S
SSM6J771GLFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.8nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 8.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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