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Imagen SSM6J53FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J53FE(TE85L,F)

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6J53FE(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SSM6J53FE(TE85L,F).pdf
2.SSM6J53FE(TE85L,F).pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ES6 (1.6x1.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

136 mOhm @ 1A, 2.5V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

SSM6J53FE(TE85LF)TR
SSM6J53FETE85LF
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

568pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.6nC @ 4V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 2.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

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