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Imagen SSM6N7002BFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6N7002BFU,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SSM6N7002BFU,LF.pdf
2.SSM6N7002BFU,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3.1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

US6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Potencia - Max

300mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

SSM6N7002BFULFDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA
Número de pieza base

SSM6N7002

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