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4988780Imagen SSM6N815R,LFToshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM6N815R,LF
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SSM6N815R,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 100µA
  • Paquete del dispositivo
    6-TSOP-F
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Potencia - Max
    1.8W (Ta)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    6-SMD, Flat Leads
  • Otros nombres
    SSM6N815RLFDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    3.1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate, 4V Drive
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

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