SSM6N56FE,LM

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6N56FE,LM
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6N56FE,LM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

ES6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

SSM6N56FE,LM(B
SSM6N56FE,LM(T
SSM6N56FELMTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

800mA

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Los siguientes son productos relacionados con "SSM6N56FE,LM".

SSM6N61NU,LF

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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